مشخصات کلیدی حافظه داخلی ۲۵۰ گیگابایت مشخصات کلی وزن 0.008 کیلوگرم ابعاد 2.215 × 0.238 × 8.015 سانتیمتر برند Samsung نوع کاربری اینترنال فرم فکتور 2280 M.2 رابط اتصال PCIe NVMe توضیحات اتصال PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 ظرفیت حافظه 250 گیگابایت نوع حافظه فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC کنترلر Samsung In-House Controller سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات 2900 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات 1300 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن تصادفی اطلاعات 230,000IOPS سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات 320,000IOPS DRAM ندارد توان مصرفی – 3.7 وات در حالت خواندن, – 3.2 وات در حالت نوشتن, – 45 میلی‌وات در حالت Idle دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ولتاژ عملیاتی 3.3 ولت میانگین عمر – 1,500,000 ساعت (MTBF), – 150 ترابایت (TBW) پشتیبانی از NCQ ندارد پشتیبانی از TRIM دارد پشتیبانی از RAID ندارد پشتیبانی از S.M.A.R.T دارد رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 سایر قابلیت‌ها – مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه, – مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال, – قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد, – پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه, ...