مشخصات کلیدی حافظه داخلی ۲۵۰ گیگابایت مشخصات کلی وزن 0.008 کیلوگرم ابعاد 2.215 × 0.238 × 8.015 سانتیمتر برند Samsung نوع کاربری اینترنال فرم فکتور 2280 M.2 رابط اتصال PCIe NVMe توضیحات اتصال PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 ظرفیت حافظه 250 گیگابایت نوع حافظه فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC کنترلر Samsung Phoenix سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات 3500 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات 2300 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن تصادفی اطلاعات 250,000IOPS سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات 550,000IOPS DRAM دارد نوع DRAM 512 مگابایت LPDDR4 توان مصرفی – 5 وات در حالت خواندن, – 4.2 وات در حالت نوشتن, – 0.03 وات در حالت آماده باش دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ولتاژ عملیاتی 3.3 ولت میانگین عمر – 1,500,000 ساعت (MTBF), – 150 ترابایت (TBW) پشتیبانی از NCQ ندارد پشتیبانی از TRIM دارد پشتیبانی از RAID ندارد پشتیبانی از S.M.A.R.T دارد رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 سایر قابلیت‌ها – مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه, – مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال, – قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد, ...