مشخصات بی جی تی ترانزیستور 2N5401 Transistor BJT جنس نیمه هادی سیلیسیوم (Si) قطبیت PNP حداکثر توان مصرفی (Pc) 0.625 W حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) 130 V حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) 120 V حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) 5 V حداکثر جریان کلکتور(Ic) 0.6 A حداکثر دمای محل پیوند (Tj) 150 C انتقال فرکانس (Ft) 100 MHz ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) 6 pF حداقل بهره جریان (Hfe) 50 قاب ترانزیستور TO92