مشخصات بی جی تی ترانزیستور A683 Transistor BJT جنس نیمه هادی سیلیسیوم (Si) قطبیت PNP حداکثر توان مصرفی (Pc) 0.75 W حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) 30 V حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) 25 V حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) 6 V حداکثر جریان کلکتور(Ic) 1.5 A حداکثر دمای محل پیوند (Tj) 125 C انتقال فرکانس (Ft) 100 MHz ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) 30 pF حداقل بهره جریان (Hfe) 60 قاب ترانزیستور TO92 برگرفته از تکشو