مشخصات بی جی تی ترانزیستور A1273 Transistor BJT جنس نیمه هادی سیلیسیوم (Si) قطبیت PNP حداکثر توان مصرفی (Pc) 1 W حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) 30 V حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) 30 V حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) 5 V حداکثر جریان کلکتور(Ic) 2 A حداکثر دمای محل پیوند (Tj) 150 C انتقال فرکانس (Ft) 120 MHz ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) 48 pF حداقل بهره جریان (Hfe) 100 قاب ترانزیستور TO92 کاربردها audio frequency driver and output stage