«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد. IGBT 40N60 SFD یک نوع ترانزیستور قدرتی است که در مدارهای الکترونیکی قدرت استفاده می‌شود. IGBT مخفف Insulated Gate Bipolar Transistor است و به معنای ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق است. این قطعه ترکیبی از مزایای ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) و ترانزیستورهای دو قطبی (BJT) ...